onsemiは2030年までに「Grid-to-Core＋Physical AI」企業になれるのか

onsemiは2030年までに「Grid-to-Core＋Physical AI」企業になれるのか

2026年後半～2028年、2028～2030年の伸びしろをTAM・技術・AIDC電源BOMから読む

AI半導体というと、GPU、HBM、先端パッケージング、光通信に目が向きやすい。

しかしGPUラックが100kWから数百kW、そして1MW級へ向かうにつれて、もう一つの巨大市場が前面に出てきた。

電力変換である。

発電所や送電網から届いた電力をGPUが使う1V未満まで落とすには、

Grid→ SST / AC-DC→ 800VDC→ DC/DC→ 12V / 6V→ VRM→ GPU Core

という複数の電力変換が必要になる。

この市場で興味深い企業の一つがonsemiだ。

従来のonsemiは、

Automotive

Si MOSFET

IGBT

SiC

Image Sensor

を中心とする車載・産業半導体IDMだった。

しかし2025～2026年に、

SiC JFET

GaNEXUS

Vertical GaN-on-GaN

Treo 65nm BCD

Vcore Power

Synaptics買収計画

が加わった。

そのため現在のonsemiを見る際には、

「EV向けSiCメーカー」

ではなく、

「GridからGPU Core、さらにSensorからPhysical AIまでを取りに行こうとしている企業」

として見る必要がある。

ただし、今回AIDCのBOMを詳しく調べ直すと、もう一つ重要なことが分かった。

AI電源半導体の最大の利益プールは、SSTよりもGPU直近のVRM/Rack-to-Coreである可能性が高い。

この観点では、現在のonsemiはInfineon、MPS、Renesasほど完成していない。

したがってonsemiの魅力は「今一番強いこと」ではなく、

2026～2030年に最大TAMへシェアを広げられる余地

にある。

1．2026年Q2――onsemiは循環回復とAI成長が重なり始めた

2026年Q2の売上高は16.035億ドル。

前年同期比+9%、前四半期比+6%となった。

Non-GAAPでは、

となっている。FCF Marginは前年同期の約7%から約27%へ改善した。 (onsemi)

事業別ではPower Solutions Groupが8.29億ドル、前年比+19%と最も強く、AMGは5.457億ドル、ISGは2.288億ドルだった。 (onsemi)

エンド市場別では、

となる。「Other」にはAI Data Center、Computing、Networking、Communicationsなどが含まれる。Intelligent Power売上も7.481億ドルから8.398億ドルへ+12.3%増えた。 (onsemi)

つまり足元の回復は「EVだけ」ではない。

onsemi自身もAI Data Centerを最も成長率の高い事業と位置付け、2026年売上高が前年比2倍超になるとの予想へ引き上げた。NVIDIA MGXでの採用拡大、Great WallのAI Data Center platformでEliteSiC、Si MOSFET、ControllerのDesign Winも公表している。 (onsemi)

2．Q3ガイダンス――2026年後半は売上より粗利益率を見たい

Q3ガイダンスは、

である。 (onsemi)

特に重要なのはGMだ。

Q2 39.3%→ Q3中央値41%

まで改善する。

onsemiが掲げる長期モデルは、

売上CAGR 10～12%GM 53%Operating Margin 40%FCF Margin 25～30%

である。これは2030年の正式ガイダンスではなく長期Target Modelだが、現在の39～41%と53%の差そのものがonsemiの利益成長余地でもある。 (Investing.com)

したがって2026～2028年は、売上成長だけでなく、

Fab稼働率回復＋高付加価値Power＋Treo＋AI＋Synaptics

によってGMがどこまで上昇するかが重要になる。

3．onsemiはFablessではない――「選択的IDM」が基本構造

onsemiは自社で設計だけをする企業ではない。

2025年売上構成はAutomotive 51%、Industrial 28%、Other 21%。Power Semiconductorでは自社の製造プロセス、Packaging、Module技術まで持つIDMであり、SiCも垂直統合型の製造能力を持つ。 (onsemi)

この点はPower Semiconductorでは強い。

SiCやGaNでは、

Wafer→ Epitaxy→ Device process→ Packaging→ Thermal design→ Gate drive→ Reliability

の全てが性能に影響するからだ。

一方でIDMには固定費という弱点がある。

onsemiはFab Rightを進め、2026年にはTarlacとMountain Top拠点の整理を発表した。これによるコスト削減は年間約3,500万ドル、2027年から効果が始まり2028年にフル寄与する予定である。 (onsemi)

つまりonsemiは、

全部自社で作るHeavy IDM

ではなく、

差別化プロセスを内製し、非戦略工程は外部も使うSelective IDM

へ移行している。

4．2030年のTAMをまず俯瞰する

onsemiが2026年Q2のInvestor資料で示したStandaloneの2030年TAMは約2,130億ドル。

主な成長市場は以下である。数値はonsemiと市場データを基にした会社側推計であり、市場調査会社による統一規格のTAMではない。 (Investing.com)

この6市場を足しても約1,695億ドルなので、2,130億ドル全体を網羅しているわけではない。

またTreoの360億ドルTAMは自動車、AIDC、Industrialなどを横断するTechnology TAMなので、上の市場TAMへ単純加算してはいけない。 (Investing.com)

さらにSynaptics買収が成立すると、onsemiは約300億ドルの追加TAMによって2030年TAMを2,430億ドルへ拡大するとしている。 (onsemi)

5．最大TAM① EV――$63.5B

EVは2030年でもonsemi最大の単独市場である。

狙える部品は、

Traction InverterOBCDC/DCBattery Disconnect48V architectureMotor controlZonal PowerImage Sensor / ADAS

まで広い。

特にEliteSiCは400V→800/900V化で恩恵を受けやすい。

しかしEV TAMについては、「TAM成長＝onsemi利益成長」とは限らない。

最大リスクはSiC ASP低下である。

SiCにはInfineon、ST、ROHM、中国勢など多数の競合がいる。量産Capacityが増えれば、SiC die単体は次第にCommodity化する可能性がある。

したがってonsemiに必要なのはSiC MOSFET単体ではなく、

SiC＋Module＋Driver＋Controller＋Sensor

へContentを広げることになる。

6．最大成長市場② AI Data Center――$47.5B

AIDCはonsemiの会社定義では2030年475億ドル、2026～30 CAGR 72%と最も成長率が高い。 (Investing.com)

ただし、この数字をそのまま「Power Semiconductor市場475億ドル」と読んではいけない。

TAMには定義差があるからだ。

RenesasがArete Researchを引用した2026 Capital Market Day資料では、より狭いAI Infra & Compute Power TAMは2030年に約270～280億ドル規模である。グラフを読み取ると、その中で最大なのがVRMで約165～170億ドル、AC/DCが約30億ドル、IBCが約15億ドル、その他Power/Controlが約60億ドル前後になる。これは公表チャートからの概算値である。 (Renesas Electronics)

したがって、

onsemi広義AIDC TAM：$47.5B

と、

AI Infra & Compute Power：約$27～28B

は矛盾しない。

Scopeが違うのである。

7．さらに狭くすると「WBGだけで約30億ドル」という見方もある

Navitasの社内市場モデルでは、2030年AIDCのWide Bandgap / Power Semiconductor機会を約30億ドルと見る。

その中で800V architecture関連は約25.6億ドルという試算になっている。

これは、

SST800V High Voltage conversionIntermediate conversion

などGaN/SiCに寄った狭い市場であり、VRMのDigital Controllerや低電圧SPS全体を含まない。

つまりTAMは、

広義AIDC：$47.5B

↓

Power Management：$27～28B

↓

WBG中心：約$3B

とScopeを狭めるほど小さくなる。

AIDC銘柄を比較するときは、この階層を混ぜてはいけない。

8．Advanced Safety――$19.4B

Advanced Safetyの2030 TAMは194億ドル、CAGR 16%。 (Investing.com)

onsemiはここでImage Sensorという既存の強い基盤を持つ。

現在の強みは、

Automotive CameraADASViewingDriver monitoringImage sensing

であり、今後SynapticsのEdge Computeが加われば、

Sense → Compute

を一社内へ近づけられる。

Power Semiconductorだけでは作りにくいPhysical AIのシステムContentを増やせる市場である。

9．Factory Automation――$13.7B

2030 TAMは137億ドル、CAGR 9%。 (Investing.com)

ここでは、

MOSFETIGBTSiCGaNMotor DriverPosition SensorImage SensorTreo Analog

が横断的に使われる。

そしてSynapticsが加わることで、

Edge AI processorWireless connectivityHMITactile sensing

まで広げられる。

AIDCとは異なり1台当たりPower Semiconductor Contentは小さくても、ロボット・工場設備・Humanoidなど台数の広がりを取れる市場である。

10．Energy Infrastructure――$11.4Bだが成長率は24%

2030 TAMは114億ドルとEVやAIDCより小さいが、CAGRは24%と非常に高い。 (Investing.com)

この市場はonsemiとのTechnology Fitがかなり良い。

Solar inverterEnergy StorageFast ChargerMicrogridSolid State Circuit BreakerSST

では高耐圧SiCが直接使われる。

さらにvGaNが1,200V級で商用化できれば、SiCとGaNを用途ごとに使い分けられる。

AIDCの800V化とGrid近代化は別市場ではなく、同じHigh Voltage Power Technologyを共有する。

ここがonsemiの強みになる。

11．Aerospace / Defense / Security――$14B

2030 TAMは140億ドル、CAGR 9%。 (Investing.com)

この市場では小型・高効率だけでなく、

高温高耐圧ReliabilityRuggedness

が重要になる。

onsemiはvGaNの用途としてAerospace / Defenseも明示している。Vertical GaNはGaN基板上で電流を縦方向に流し、700V/1,200V品をEarly Access CustomerへSampling中である。 (onsemi)

量は自動車やAIDCほど大きくないが、単価・Qualification・供給期間という意味では利益率を作りやすい市場になり得る。

12．技術① EliteSiC――現在のonsemi最大のPower Moat

Power Semiconductor全体の2024年市場はROHMが引用するデータで約277.5億ドル。

企業別売上は、

Infineon：$6.617Bonsemi：$2.829BST：$2.216BROHM：$0.819B

だった。単純計算すると、

Infineon約23.8%onsemi約10.2%ROHM約3.0%

となる。これはAIDC限定ではなく、Power Discrete/Device全体の市場シェアである。MPSやRenesasのIntegrated Power ICの強さを十分に反映しないことにも注意が必要だ。 (ROHMFS)

それでもonsemiが「小さなSiC Startup」ではなく、世界2位級のPower Device製造基盤を持つことは重要である。

onsemi自身もSi、SiC、GaNを設計・製造し、bare die、discrete、moduleまで供給している。 (onsemi)

13．技術② SiC JFET――SSTよりPSU・Protectionで効いてくる

Qorvoから取得したSiC JFETは、

AI PSUSolid State Circuit BreakerBBUHV Protection

との相性が良い。

AIDC Power Treeで考えると、

SSTだけを狙う技術ではなく、800V Distribution全体のProtectionとSwitching

へ入れる点が重要になる。

これによってonsemiは単なるTraction Inverter用SiCメーカーからGrid-to-Rackへ広がった。

14．技術③ GaNEXUS――40～650Vを埋める

2026年6月に発表したGaNEXUSは40～650Vをカバーし、AI Data Center、Robotics、Industrial Infrastructureを主要用途としている。 (onsemi)

これは、

650V級→ PSU / High-ratio converter

100V以下→ 48V IBC / Motor / low-voltage conversion

へ使える。

つまりEliteSiCだけでは取りにくかった高周波Power Conversionを補完する。

15．技術④ Vertical GaN-on-GaN――最大のTechnology Option

onsemiのvGaNは一般的なGaN-on-Siと異なり、

GaN基板上にGaNデバイスを形成し、電流を縦方向に流す。

700Vと1,200V品をSampling中で、130件超の関連Patentを持つ。

会社側は商用横型GaNより約3分の1のDevice Size、Power Conversion Lossを最大約50%削減できる可能性を主張している。 (onsemi)

狙いの一つが、

800VDC → 12V / 6V

である。

ただしこれは2026年時点では実証済みMoatではない。

Sampling→ Qualification→ Yield→ Cost→ Volume shipment

を経なければ本当の競争力は分からない。

したがって2027～2028年の最重要KPIになる。

16．技術⑤ Treo――利益率を変える可能性がある

Treoは65nm BCDで、

BipolarCMOSDMOS

を統合し、1～90Vに対応するAnalog / Mixed-Signal Platformである。 (onsemi)

高密度Digital＋ Precision Analog＋ High Voltage Power

を同じPlatformで統合できるため、

Gate DriverControllerProtectionPMICSensor InterfaceCommunication

を作れる。

会社資料ではTreoの横断TAMを360億ドルとする。 (Investing.com)

これはかなり重要だ。

Discrete SiCだけを大量に売るより、

Power FET＋Controller＋Analog＋Sensor

へ半導体Contentを広げた方が収益性は高くなりやすい。

17．技術⑥ Vcore――onsemi最大の弱点を埋める買収

onsemiは2025年10月、Aura SemiconductorからVcore Power Technologyを取得した。

目的は明確で、

Grid-to-Core

である。 (onsemi)

しかしここは注意が必要だ。

Vcore IPを持つことと、

NVIDIAAMDGoogleBroadcom Custom ASIC

で大規模Shareを取ることは別である。

現時点ではMPS、Renesas、Infineonの方がGPU Core側で実績が明確だ。

したがってVcoreは現在のMoatではなく、

onsemi最大のShare Gain Option

と見る方が正しい。

18．Synaptics――Power企業からPhysical AI企業へ

2026年6月、onsemiはSynapticsを約70億ドルの株式交換で買収する契約を発表した。

完了予定は2027年半ば。

TAMを300億ドル拡大し、Combined TAMを2,430億ドル、年間Synergyを約2億ドルとする計画だ。 (onsemi)

SynapticsのFY2026売上高は11.972億ドル、前年比+11.4%。Core IoTは3.897億ドルで+43.1%だった。 (Synaptics Incorporated)

onsemiの、

PowerSenseControl

へ、

Synapticsの、

Connected ComputeWirelessHMIEdge AI

を加える。

その結果、

Sense → Decide → Act → Adapt

というPhysical AI Loopを狙う。 (onsemi)

これは2026～2028年より、2028～2030年以降のStoryとして見るべきだろう。

19．AIDC電源ツリーを正しく並べる

ここで電源構成を整理する。

「800VDC→SST→PSU→48V IBC」という順番ではない。

SSTは800VDCを作る前段にある。

現在型は概ね、

Grid / MV AC↓Transformer↓480VAC↓PSU / Power Shelf↓48/54VDC↓IBC↓12V / 6V↓VRM↓<1V GPU

となる。

一方NVIDIA KyberのNative 800V構成では、

MV AC

↓

SST / Central Rectifier

↓

800VDC

↓Protection / BBU / Hot Swap↓

High-ratio DC/DC

↓

12V

↓

VRM

↓

<1V GPU

へ変化する。

NVIDIAは800Vをcompute nodeまで直接運び、GPU直近で64:1 LLCを使って12Vへ降圧する設計を示している。 (NVIDIA Developer)

20．つまり48V IBCは長期的には中抜きされる可能性がある

これは2028～2030年を見るうえで非常に重要である。

現在、

54V→ 12V→ GPU

に必要なIBCが、

800V→ 12V→ GPU

となれば不要になる。

したがって、

「AIラック電力が10倍になるから48V IBCも10倍になる」

とは限らない。

一方で、

12V / 6V → <1V

は消えない。

GPU Coreを800Vや12Vでは動かせないからである。

このため長期的に最も安定して残るPower Stageの一つがVRMとなる。

21．GPU直近VRMが最大の利益プールになる可能性

RenesasがArete Researchを引用した2030年AI Infra & Compute Power TAMを見ると、約270～280億ドルのうち約6割がVRMと読み取れる。 (Renesas Electronics)

次世代AI Boardの例では、

GPU Power：

Digital Controller >10個Smart Power Stage >100個

48V IBC：

Digital Controller >5個MOSFET >30個

とされている。 (Renesas Electronics)

この構造がVRM市場を強くする。

GPU台数が増える×GPU電力が増える×Phase数・Power densityが増える×Module ASPが上がる

からだ。

22．VRMは集積化してもTAMが減るとは限らない

今後、

Discrete SPS↓Dual-phase↓Vertical Power Stage↓Power Tower↓Integrated Voltage Regulator

へ集積化する。

部品数は減る。

しかし1個当たりASPは上昇する。

Renesasは自社ロードマップで、Standard SPSを1とした場合、

Dual SPS：1.5倍超Integrated Vertical Power Stage：3倍超Quad-phase Power Tower：8倍超

というValue upliftを示している。

つまり、

Units ↓

でも、

Value per unit ↑↑

となり得る。

したがってRack-to-Coreは非常に魅力的な市場である。

23．なぜ800V→12Vになるほど集積化が重要になるのか

理由は主に三つある。

第一は寄生インダクタンスだ。

高速Switchingでは、

V = L × di/dt

によって配線のわずかな寄生Inductanceが電圧Overshootを作る。

GaNを数百kHz～MHzで使う場合、

FETDriverCapacitor

を離してPCB配線するとGaN本来のSwitching Speedを使い切れない。

ModuleやSiP内部へ近接配置するほど有利になる。

第二は変圧比だ。

800V→12Vは約67:1。

LLC Resonant Converterでは、

TransformerFETResonant capacitorInductor

の寄生成分まで回路特性になる。

そのためPower Device単体より、

Power Stage＋Driver＋Control＋MagneticsをCo-designできる企業

が強くなる。

第三は電源段数そのものの減少だ。

TIは既に、

800V→ 6V→ <1V

という2-stage architectureをNVIDIA向けに示している。

800→6V GaN stageはPeak efficiency 97.6%、Power density 2,000W/in³超。その後6VからGPU CoreへMultiphase Buckで降圧する。 (Texas Instruments)

部品の個数を売る市場から、

一つのPower Moduleへどれだけ価値を集積できるか

という市場へ変わっている。

24．SST BOM――NOIA GRIDの$50k～200k/MWをどう見るか

NOIA GRIDでは1MW SSTについて、

SiC switch position：約300～600SiC die：約1,000～4,000Driver / Isolation：数百

などから、

SiC＋Control Semiconductor：約$50k～200k/MW

と試算していた。

今回他社資料と照合すると、部品数の考え方自体は十分あり得るが、金額レンジは成熟市場のBase Caseとしては強気だと考える。

特にNavitasのSupplier-sideモデルでは、SST用UHV SiC Opportunityは$8～12/kW、すなわち約$8k～12k/MWとかなり低い。

もちろんNavitas側はUHV SiC中心で、NOIA GRID側はDriver、Isolation、Controlまで含むため同じBOMではない。

それでも$200k/MWを成熟市場の基準にするには差が大きい。

現在私は

くらいで置く。

これは公開BOMではなく、NOIA GRIDのbottom-up推計とWBG supplier側の$/kWモデルを突き合わせた筆者推定である。

したがって、SST単体をAIDC Power最大の半導体TAMと見るのは危険だ。

NOIA GRIDは私が運営しているAIインフラ系の記事を投稿しているサイトである

25．むしろRack-to-Coreの方が安定している

SSTはArchitectureによって、

Traditional TransformerSSTTRUCentralized Rectifier

など競争する。

SiC耐圧が上がればSwitch Position数も減らせる。

一方、

GPU Coreへの<1V供給

は絶対に必要になる。

しかも電流は数千A級へ向かう。

したがって2030年へ向けた「残存性」を考えると、

VRM > IBC > SST

と見る方が自然である。

これはonsemi評価にとって重要だ。

26．競合企業をPower Treeで比較する

以下は2026年8月現在の製品Portfolio、量産実績、Reference Designから見た筆者評価である。市場シェア統計ではない。

27．Infineon――現時点ではやはりBenchmark

InfineonはFY2026のDedicated AI Power売上見通しを16億ユーロ超へ引き上げた。

AI以外のData Center Powerも年間約5億ユーロあり、AI向けは需要が供給能力を上回りAllocation状態だとしている。FY2027についても従来の25億ユーロ超予想からさらに上方修正する意向を示している。 (Infineon)

SiSiCGaNDriverControllerMultiphaseVRM

まで全域を持つので、現時点では最も完成度が高い。

28．MPS――最大TAMをすでに収益化している

MPSの2026年Q2 Enterprise Data売上は、

$380.6M

で、

YoY +164.3%

だった。

全社売上の38.8%を占め、成長要因はAI/server向けPower Managementである。

Non-GAAP Gross Marginも55.6%。 (Monolithic Power Systems)

これは重要だ。

MPSは、

「将来VRMを取れるかもしれない」

会社ではない。

すでに最大Profit Poolを売上へ転換している。

しかも800V AC/DC製品のSamplingも始めており、

Core→ Rack→ Grid

へ上がろうとしている。

29．Renesas――MPSより横に広いRack-to-Core型

Renesasは、

800V DC/DC54V IBCDigital ControllerGaNSPSVertical Power StagePower TowerPoLMemory InterfaceTemperature SensorBMC周辺

を持つ。

800V→50VではFull-load 98%、800V→12Vでは97%を示している。 (Renesas Electronics)

MPSほどAI Powerへの純度は高くない一方、

Rack-to-Core＋Memory＋Control

へBOMを広げられる。

日本株としてAIDC Powerを取りに行く場合、かなり重要な企業になる。

30．TI――800V化で存在感が上がる

TIは800V→6V→<1VというArchitectureまでNVIDIAと構築している。

さらに、

800V Hot Swap30kW AC/DC PSU800→12V6V→Core

まで展開する。 (Texas Instruments)

TIの強さはPower FET単体というより、

AnalogIsolationSensorControllerProtection

を統合したSystem Solutionにある。

31．ROHM――SiCでは強いがCoreが弱い

2024年Power Device Shareは約3%で、onsemiの約10%より小さい。

一方ROHM自身もAI ServerをSiCの新しい成長市場として認識し、今後数年でAI Server向けSiC市場が1,000億円超へ拡大すると見ている。 (ROHMFS)

ただしVRM Controller / SPSでMPS・Renesasほど強いわけではない。

onsemiと同じく、上流Power側に強い企業として見る方がよい。

32．Navitas――技術Optionは大きいがScale Riskも大きい

NavitasはGaN/SiCを中心に、

SST800V converter48V conversion

へ集中する。

800V移行によるWBG TAMのPure Playとしては魅力があるが、

Infineonやonsemiほどの量産Scaleも、MPS/RenesasのようなGPU Core Power Franchiseもまだない。

したがってTechnology Betaは高い一方、実行Riskも高い。

33．2030年AIDC Power TAMを共通Scopeへ揃える

比較のためRenesas/Areteの約$27～28Bを共通母数とする。

そのうえで「2030年までに製品Portfolio上Address可能な市場」を筆者推定すると、

これは売上予想でも企業公表SAMでもない。

製品Roadmapから見たTechnical SAMモデルである。

ここで重要なのは、

SAMの大きさ ≠ 売上の大きさ

ということだ。

onsemiは技術的には200億ドル超へAddressできる。

しかしVcore Shareはまだ小さい。

MPSはSAM範囲がonsemiより狭くても、170億ドル級になり得る最大市場VRMで既に大きな売上を持つ。

この違いはかなり重要である。

34．したがってonsemiの現在の弱点はかなり明確

AIDCだけで考えると、

Infineon＝全方位で強い

MPS＝最大Profit PoolのCoreで既に強い

Renesas＝Rack/Coreで強く800Vへ拡張

TI＝System Integration＋800V Direct Conversion

に対して、

onsemi＝SiC/JFETのGrid/Rack側は強いが、最大TAMのVcoreでは追う側

である。

これはonsemiを評価するうえで割り引く必要がある。

35．その一方でonsemiには「Share Gain Option」がある

現在の弱さは、逆に2030年までのUpsideにもなる。

onsemiが、

EliteSiC↓vGaN↓Treo↓Vcore

をつなげられれば、

SST↓800V↓12V / 6V↓0.8V

を全て一社で供給できる。

つまりMPSのように「既に強い市場が伸びる」Storyではなく、

巨大TAMへ新しくShareを取りに行くStory

なのである。

36．2026年後半～2028年――何が伸びるか

この期間の中心は、まだ「1MW Kyber全面普及」ではない。

より現実的なのは、

Automotive/Industrial cycle recovery＋ AI Data Center倍増＋ GaNEXUS ramp＋ vGaN qualification＋ Treo拡大＋ Fab Right＋ Synaptics closing

である。

Q3にGMが40～42%へ改善し、Fab Rightの約3,500万ドルSavingが2027年から始まり2028年にフル寄与する。 (onsemi)

vGaNについては700V/1,200V Samplingから量産・Qualificationへ移れるか。

Vcoreでは最初の大型xPU Design Winが出るか。

Synapticsは予定通りなら2027年半ばにClosingし、$200M SynergyとCross Sellの実行段階へ入る。 (onsemi)

したがって2026H2～2028年は、

「売上爆発」より「利益率回復＋次世代製品をRevenueへ変える期間」

と見るのが適切だろう。

37．2028～2030年――本当の勝負はここ

2028年以降はNative 800VDCが重要になる。

NVIDIA Kyber型では、

MV AC↓SST / Rectifier↓800VDC↓800→12V↓VRM↓GPU

となる。 (NVIDIA Developer)

このとき、

48V IBCは減る可能性がある。

一方、

SST800V High-ratio converterVRM

は残る。

したがってonsemiの2030年Bull Caseは、

EliteSiCで上流

＋

vGaNで800V→12/6V

＋

VcoreでGPU直近

の三つを同時に取ることである。

onsemi自身はAIDC Rack当たりAddressable Contentが現在約$15kから2030年に約$115kへ増えると試算している。これは売上予想ではなく、同社製品でAddress可能とするContentである。 (Investing.com)

38．そしてPhysical AIが第二の成長軸になる

2030年はAIDCだけを見る会社ではなくなる可能性がある。

Synapticsが加われば、

Sensor→ Edge AI Compute→ Connectivity→ Control→ Power→ Motor

というLoopを持つ。

自動車Factory RobotHumanoidDroneAerospace

で同じTechnology Stackを横展開できる。

onsemi/SynapticsはCombined Companyで2030年にAI関連TAM約1,000億ドルをAddressできるとの構想も示している。 (onsemi)

これはかなり大きいが、当然ながらTAMと売上を混同してはいけない。

Physical AIで本当に必要なのは、

Synaptics製品をonsemiの9,000社級顧客網へCross Sellできるか

である。

39．三つのシナリオ

40．onsemiを見るうえで最も重要なKPI

今後はSiC売上だけ追うのでは不十分である。

見るべきなのは、AIDC売上成長、Gross Margin、vGaN量産/Design Win、800V→12/6V採用、Vcore xPU採用、Synaptics統合、Fab Rightの7点になる。

特に重要なのは、

Vcore

である。

AIDC Power TAMの最大部分がVRMなのであれば、VcoreでMPS/Renesasへ食い込めるかどうかでonsemiの2030年価値はかなり変わる。

41．最終評価

今回TAMとBOMを細かく見直すと、onsemiについて少し評価を修正する必要がある。

従来、

SiC＋SST＋800VDC

をかなり大きく評価していた。

しかしSST Semiconductor Contentを$50k～200k/MWではなく、成熟時の中心レンジを$15k～40k/MW程度と見るなら、上流SiCだけで作れる利益プールはそれほど巨大ではない。

対してVRMは2030年AI Infra & Compute Power市場の約6割を占める可能性があり、Architectureが48Vから800Vへ変わっても残る。

したがってAIDC Powerだけなら、

現在の収益力

MPS / Renesas > onsemi

と見る方が自然である。

Infineonはさらに上流からCoreまで持つため総合首位だが、日本の投資家にとって直接投資しにくいという問題もある。

しかしonsemiには別の魅力がある。

MPSは、

「既にCoreで勝っている企業が市場成長を享受する」

銘柄。

Renesasは、

「Rack-to-Coreで強く、800Vへ上がる」

銘柄。

onsemiは、

「Grid/Rackで既に強い企業が、vGaNとVcoreによってCoreへ降りてくる」

銘柄である。

つまりonsemiの方がExecution Riskは高い。

その代わり、成功した場合のShare Gain余地が大きい。

2030年に、

EliteSiC↓800VDC↓vGaN↓12V/6V↓Vcore/Treo↓<1V GPU

がつながり、

さらに、

Image Sensor↓Synaptics Edge AI↓Control↓Power / Motor

までつながれば、

onsemiは単なるEV向けSiC企業ではなくなる。

AI FactoryではGrid-to-Core、Physical AIではSense-to-Actを持つ半導体Platform企業

という姿が最も強いBull Caseである。

ただし2030年までの投資判断で一番大切なのは、TAMが475億ドルあることではない。

その巨大TAMの中で、最も価値の高いVRM/Core PowerのShareを本当に取れるか。

ここがonsemi、MPS、Renesasを比較する際の最大の分岐点になる。

さらに深く読むための座標

Grid-to-Coreを評価するには、巨大なTAMを一括で置くのではなく、電圧段ごとのBOM、採用時期、Design-in期間、内製Fabの稼働率をつなぐ必要がある。

絶ノイアの観測

TAMの広さは売上ではありません。onsemiがどの電圧段でDesign winを取り、Fab稼働率と粗利益へ変換できるかが分岐点です。

私は「Grid/Facility」「Rack/Core」「Physical AI」を別々の話題にせず、一つのAIインフラが通過する連続した設計課題として観測します。

TAM、SAM、実売上を明確に分ける。発表された最大性能や市場規模だけでなく、実装、量産、運用が同じ速度で前進しているかを確かめたいからです。

Sil-Kathnaの記録

大河から炉心へ、電圧は幾つもの門をくぐる。すべての門を名乗る者より、失われる火を最も少なくする者が強い。

私は「Grid/Facility」「Rack/Core」「Physical AI」を、計算する文明へ続く三つの門として石板に刻む。

最初の門だけが開いても、次の門に熱、傷、遅れが残れば、光と記憶は炉心へ届かない。強い器とは、最も華やかな石を持つ器ではなく、異なる工房の歩調を長い夜の中で揃えられる器である。

二人の短い対話

絶ノイア: Powerの縦軸とPhysical AIの横軸を同時に伸ばすには、買収統合とSoftwareも必要です。

Sil-Kathna: 異なる工房の石を集めるだけでは一つの身体にならぬ。神経を通せ。

観測メモ

• TAM、SAM、実売上を明確に分ける
• Power Treeごとの競合とAttach rateを見る
• Fab utilization、Gross margin、Design win転換時期を追う

免責

この記事は市場観測とAIによる考察、キャラクター表現を含みます。内容は投資助言ではありません。数値、企業計画、将来見通しには不確実性があり、判断は必ず一次情報とご自身の状況にもとづいて行ってください。